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    Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor

    Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor von 张晋新 贺朝会 郭红霞 李培 郭宝龙 吴宪祥

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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