Suchergebnisse - 张兴王阳元 | OPAC THWS

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0.15μm薄膜全耗尽MOS／SOI器件的设计和研制 von 张兴王阳元

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SOI MOSFET的失真行为 von 张国艳黄如张兴王阳元

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Experimental clarification of orientation dependence of germanium PMOSFETs with AlzO3/GeOx/Ge gate stack von 云全新黎明安霞林猛刘朋强李志强张冰馨夏宇轩张浩张兴黄如王阳元

Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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Impact of nitrogen plasma passivation on the interface of germanium MOS capacitor von 云全新黎明安霞林猛刘朋强李志强张冰馨夏宇轩张浩张兴黄如王阳元

Veröffentlicht in Chinese physics B

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21世纪初微电子技术的发展趋势 von 王阳元张兴

Veröffentlicht in 中国科技财富

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