抗IgA抗体によると考えられる稀な輸血副作用について von 原野操, 徳永和夫, 深田謙二, 清川博之, 前田義章, 酒井隆信, 廣瀬隆之

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第一原理計算で生成した4H-SiC結晶内C-C欠陥のELNES理論解析 von 広瀬, 隆之, 寺尾, 豊, 寺西, 秀明, 瀧川, 亜樹

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4H-SiC(1-100)/SiO2界面とNOのシミュレーションによる反応解析 von 小笠原, 美紀, 広瀬, 隆之

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4H-SiC(1-100)表面でのO2酸化反応シミュレーション von 広瀬, 隆之, 小笠原, 美紀

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第一原理計算によるSiO2中Gaの電子状態解析 von 大内, 祐貴, 小笠原, 美紀, 広瀬, 隆之, 松山, 秀昭, 上野, 勝典, 高島, 信也

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4H-SiC(1-100)表面とNOのシミュレーションによる反応解析 von 小笠原, 美紀, 広瀬, 隆之

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28aXA-1 精密共焦点顕微ラマンイメージング法を用いたLiNbO_3のアンチパラレルドメイン構造の可視化(誘電体の光制御・光応答,新光源・新分光法,領域5,領域10合同,領域5,光物性)... von 谷口, 博基, 大登, 正敬, 広瀬, 隆之, 国原, 健二, 藤井, 康裕, 伊藤, 満

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4H-SiC(0001)および(000-1)表面でのNO酸窒化反応シミュレーション von 広瀬, 隆之, 小笠原, 美紀, 森, 大輔, 寺尾, 豊

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電子エネルギー損失分光法による4H-SiC/SiO2界面近傍の余剰炭素評価 von 寺尾, 豊, 広瀬, 隆之, 寺西, 秀明, 佐藤, 英智, 瀧川, 亜樹

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光電子回折によるSiC(000-1)/SiO2界面の窒素の局所構造解析 von 森, 大輔, 広瀬, 隆之, 大山, 悦輝, 松井, 文彦

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SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性 von 森, 大輔, 井上, 慧, 寺西, 秀明, 瀧川, 亜樹, 広瀬, 隆之

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酸化ルテニウム担持カーボン電極擬似電気化学キャパシタ von 岩田, 友夫, 広瀬, 隆之, 植田, 厚, 佐渡, 直彦

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ナノコンポジットによるエポキシ樹脂の高耐熱化 von 竹松, 裕司, 岡本, 健次, 広瀬, 隆之, 池田, 良成, 田中, 祀捷, 高橋, 良和

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Study of the In-Plane Crystallographic Structure and Coercivity of CoCrTaPt Thin-Film Magnetic Recording Media von Teranishi, H., Hirise, T., Ohsawa, M., Ishiwata, O., Ataka, T., Ozawa, K., Komiya, S., Iida, A.

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CoCrTaPt 薄膜磁気記録媒体の面内の結晶学的構造と保磁力 von 寺西, 秀明, 広瀬, 隆之, 大沢, 通夫, 石渡, 統, 安宅, 豊路, 小沢, 賢治, 古宮, 聰, 飯田, 厚夫

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