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InP基板上Ga0.69In0.31Asバッファー層を用いた選択成長InAs量子ドットの発光特性
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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GaxIn1-xAsセカンドキャップ層を用いたダブルキャップ法InAs/InP量子ドットの発光特性および形状
Veröffentlicht in 応用物理学会学術講演会講演予稿集
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