GaN HEMT Drain-lagのGaN channel層依存性 von 鎌田, 陽一, 岡本, 直哉, 佐藤, 優, 山田, 敦史, 小谷, 淳二, 石黒, 哲郎, 多木, 俊裕, 尾崎, 史朗, 新井田, 佳孝, 牧山, 剛三, 渡部, 慶二, 常信, 和清

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低オン電圧動作GaN SBDへのCu2Oエッジ終端構造の適用 von 美濃浦, 優一, 岡本, 直哉, 金村, 雅仁, 今田, 忠紘, 多木, 俊裕, 今西, 健治, 渡部, 慶二, 常信, 和清, 吉川, 俊英

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27p-P-2 圧力下に於ける液体^3Heの比熱測定 von 酒井, 明, 常信, 和清, 鈴木, 秀次

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