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    Analysis of the damage threshold of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse

    Analysis of the damage threshold of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse von 席晓文 柴常春 刘阳 杨银堂 樊庆扬 史春蕾

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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