P4-3 COVID-19大規模災害（日本災害看護学会）下の看護師を対象にしたセルフケア講座実践編の開発と実践 von 松枝, 美智子, 増滿, 誠, 武用, 百子, 高井, 真美子, 江上, 史子, 惠良, 友彦, 安藤, 光子, 西村, 和美, 餅田, 敬司, 脇崎, 裕子, 川崎, 絵里香, 近澤, 範子, 川田, 美和, 丸本, 典子, 山岡, 由実, 大川, 嶺子, 永野, 佳世, 望月, 花, 田淵, 稔英, 藤田, 愛, 齋藤, 直毅, 河添, こず恵, 工藤, 聡美, 南, 裕子

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P4-1 COVID-19大規模災害下の訪問看護ステーションを対象にしたセルフケア講座Basic編の開発と提供 von 松枝, 美智子, 増滿, 誠, 齋藤, 直毅, 河添, こず恵, 藤田, 愛, 工藤, 聡美, 大川, 嶺子, 永野, 佳世, 脇崎, 裕子, 山岡, 由実, 近澤, 範子, 川田, 美和, 宮﨑, 初, 西村, 和美, 江上, 史子, 丸本, 典子, 武用, 百子, 惠良, 友彦, 餅田, 敬司, 高井, 真美子, 安藤, 光子, 川崎, 絵里香, 田淵, 稔英, 望月, 花, 南, 裕子

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Hf系MONOS型不揮発性メモリの作製条件依存性 von 工藤, 聡也, 石松, 慎, 堀内, 勇介, 大見, 俊一郎

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HfO2薄膜を用いたMISダイオードのSi基板面方位依存性 von 堀内, 勇介, 工藤, 聡也, 大見, 俊一郎

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Hf系MONOS型デバイスによる多値化(2-bit/cell)の検討 von 工藤, 聡也, 石松, 慎, 堀内, 勇介, 大見, 俊一郎

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Ar/H2熱処理によるSi基板表面原子レベル平坦化の基板面方位依存性 von 堀内, 勇介, 工藤, 聡也, 大見, 俊一郎

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In-situプロセスによるHf系MONOS型不揮発性メモリの形成 von 工藤, 聡也, R.M.D., Mailig, 石松, 慎, 大見, 俊一郎

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ECR-N2プラズマ窒化による高誘電率HfN絶縁膜の形成に関する検討 von 石松, 慎, Mark, Mailig Rengie, 工藤, 聡也, 大見, 俊一郎

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Ar/H2熱処理によるSi(100)表面原子レベル平坦化とデバイス特性に関する検討 von 工藤, 聡也, 大見, 俊一郎

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Hf系MONOS型不揮発性メモリによる保持特性の改善 von 工藤, 聡也, R.M.D, Mailig, 石松, 慎, 堀内, 勇介, 大見, 俊一郎

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Si(100)表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上 von 工藤, 聡也, 塚崎, 真弘, 大見, 俊一郎

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Ar/H2熱処理を用いたSi基板平坦化の水素濃度依存性とデバイス応用 von 塚崎, 真弘, 工藤, 聡也, 大見, 俊一郎

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Ar/H2熱処理によるSi(100)表面の原子レベル平坦化に関する検討 von 工藤, 聡也, 大見, 俊一郎

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分子科学研究所研究会「低温マトリックス単離法の新展開」報告 von 工藤, 聡

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粘土鉱物モンモリロナイトへのアゾベンゼンの新規挿入法と分光学的評価 von 氏家, 賢二, 篠崎, 良太, 工藤, 聡, 中戸, 晃之, 中田, 宗隆

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Si表面平坦化の熱処理雰囲気依存性 von 工藤, 聡也, Nithi, Atthi, 大見, 俊一郎

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二次元記録符号におけるエラーブロック分析と デコード法の検討 von 千田, 正勝, 染谷, 尚紀, 工藤, 聡

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犠牲酸化によるSi表面平坦化の基板面方位依存性 von 工藤, 聡也, 大見, 俊一郎

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イオン電極を用いた排水中ホウ素の簡易・迅速測定法 von 大隅, 仁, 大山, 聖一, 工藤, 聡, 坂田, 昌弘

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Si(100)表面平坦化によるMOSダイオードの電気特性に関する検討 von 工藤, 聡也, 韓, 大熙, 大見, 俊一郎

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