高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの高分解能光電子ホログラフィー(Ⅲ) von 細田, 渉, 寺嶋, 健成, 藤原, 弘和, 矢野, 佑幸, 片岡, 範行, 谷口, 拓海, 松下, 智裕, 室, 隆桂之, 木下, 豊彦, 高野, 義彦, 蔭浦, 泰資, 川原, 田洋, 小口, 多美夫, 脇田, 高徳, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦

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高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの高分解能光電子ホログラフィー(II) von 細田, 渉, 寺嶋, 健成, 藤原, 弘和, 矢野, 佑幸, 片岡, 範行, 谷口, 拓海, 松下, 智裕, 室, 隆桂之, 木下, 豊彦, 高野, 義彦, 蔭浦, 泰資, 川原田, 洋, 小口, 多美夫, 脇田, 高徳, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦

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高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの高分解能光電子ホログラフィー：複数のC 1s化学サイトの局所構造 von 谷口, 拓海, 細田, 渉, 寺嶋, 健成, 藤原, 弘和, 矢野, 佑幸, 片岡, 範行, 松下, 智裕, 室, 隆桂之, 木下, 豊彦, 高野, 義彦, 蔭浦, 泰資, 川原田, 洋, 小口, 多美夫, 脇田, 高徳, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦

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水素終端ダイヤモンド(001)表面の特異な低温磁気抵抗 von 山口, 尚秀, 笹間, 陽介, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦, 蔭浦, 泰資, 川原田, 洋

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高濃度ホウ素ドープダイヤモンド超伝導体の高分解能光電子ホログラフィー von 谷口, 拓海, 細田, 渉, 寺嶋, 健成, 砂川, 正典, 藤原, 弘和, 福良, 哲司, 矢野, 佑幸, 松下, 智裕, 室, 隆桂之, 木下, 豊彦, 高野, 義彦, 蔭浦, 泰資, 川原田, 洋, 小口, 多美夫, 脇田, 高徳, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦

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エレクトロニクス材料開発分野の活動状況 von 川原田, 洋, 神谷, 利夫

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高濃度ホウ素ドープダイヤモンドの高分解能光電子ホログラフィー von 細田, 渉, 寺嶋, 健成, 藤原, 弘和, 矢野, 佑幸, 松下, 智裕, 室, 隆桂之, 木下, 豊彦, 高野, 義彦, 蔭浦, 泰資, 川原田, 洋, 小口, 多美夫, 脇田, 高徳, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦

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高分解能光電子ホログラフィーによる高濃度ホウ素ドープダイヤモンドのドーパント局所構造 von 細田, 渉, 寺嶋, 健成, 藤原, 弘和, 矢野, 佑幸, 松下, 智裕, 室, 隆桂之, 木下, 豊彦, 高野, 義彦, 蔭浦, 泰資, 川原田, 洋, 小口, 多美夫, 脇田, 高徳, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦

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21aBK-4 量子ビームを活用したダイヤモンド中のカラーセンター形成技術の現状 von 小野田, 忍, 春山, 盛善, 寺地, 徳之, 磯谷, 順一, 小池, 悟大, 東又, 格, 稲葉, 優文, 山野, 楓, 加藤, かなみ, 佐藤, 真一郎, 大島, 武, 加田, 渉, 花泉, 修, 谷井, 孝至, 川原田, 洋

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18aCE-9 高濃度ボロンドープダイヤモンド超伝導のB1s-2p共鳴光電子分光 von 竹田, 彩, 脇田, 高徳, 福良, 哲司, 高野, 義彦, 栗原, 慎一郎, 川原田, 洋, 小口, 多美夫, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦

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27aCG-11 電界注入キャリアによるダイヤモンドのシュブニコフ・ドハーズ振動(27aCG 遷移金属・電界効果,領域8(後半のみ領域7と合同)) von 山口, 尚秀, 岡崎, 宏之, 出口, 啓太, 宇治, 進也, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦, 坪井, 秀俊, 川原田, 洋

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27aCG-11 電界注入キャリアによるダイヤモンドのシュブニコフ・ドハース振動(27aCG 領域8,(後半のみ領域7と合同) 遷移金属・電界効果,領域8(強相関系))... von 山口, 尚秀, 岡崎, 宏之, 出口, 啓太, 宇治, 進也, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦, 坪井, 秀俊, 川原田, 洋

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30aCM-9 超伝導ダイヤモンドの結晶性によるT_cの変化(30aCM 超伝導物質,領域8(強相関係)) von 岡崎, 宏之, 脇田, 高徳, 園山, 純生, 濱田, 貴裕, 橘高, 朋子, 村岡, 祐治, 横谷, 尚睦, 室, 隆桂之, 中村, 哲也, 栗原, 槙一郎, 川原田, 洋, 山口, 尚秀, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦

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25pEA-5 電界制御したダイヤモンド表面伝導の低温特性(電界効果,領域8,領域7合同,領域8(強相関系分野:高温超伝導,強相関f電子系など)) von 山口, 尚秀, 出口, 啓太, 岡崎, 宏之, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦, 坪井, 秀俊, 川原田, 洋

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25pEA-5 電界制御したダイヤモンド表面伝導の低温特性(電界効果,領域8,領域7合同,領域7(分子性個体・有機導体)) von 山口, 尚秀, 出口, 啓太, 岡崎, 宏之, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦, 坪井, 秀俊, 川原田, 洋

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26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体)) von 山口, 尚秀, 渡邊, 徹, 出口, 啓太, 渡辺, 英一郎, 大里, 啓孝, 津谷, 大樹, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦, 栗原, 槙一郎, 川原田, 洋

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26pXZE-11 イオン液体を用いたダイヤモンド表面伝導の電界制御II(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))... von 山口, 尚秀, 渡邊, 徹, 出口, 啓太, 渡辺, 英一郎, 大里, 啓孝, 津谷, 大樹, 竹屋, 浩幸, 高野, 義彦, 栗原, 槙一郎, 川原田, 洋

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成膜後熱処理による原子層堆積Al2O3/GaNキャパシタのバイアス安定性向上 von 堀川, 清孝, 川原田, 洋, 平岩, 篤

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高濃度ボロンドープ層導入による縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの電流密度向上化 von 太田, 康介, 新倉, 直弥, 行木, 佑太, 張, 潤銘, 角田, 隼, 平岩, 篤, 川原田, 洋

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高濃度ボロンドープダイヤモンドMOSFETsの大電流密度達成に向けた接触抵抗の低減 von 高橋, 輝, 久樂, 顕, 浅井, 風雅, 荒井, 雅一, 川原田, 洋

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