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    Analytical model for reduction of deep levels in SiC by thermal oxidation

    Analytical model for reduction of deep levels in SiC by thermal oxidation von Kawahara, Koutarou, Suda, Jun, Kimoto, Tsunenobu

    Veröffentlicht in Journal of applied physics

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    SiCデバイスの高速スイッチング時における不完全イオン化による影響のシミュレーション検討 von 海老原, 洪平, 川原, 洸太朗, 渡邊, 寛, 中田, 修平, 山川, 聡


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    熱酸化によるSiC中の深い準位低減の解析モデル

    熱酸化によるSiC中の深い準位低減の解析モデル von 川原, 洸太朗, 須田, 淳, 木本, 恒暢


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