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20pPSA-2 4接合磁束量子ビットのラビ摂動シミュレーション(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
Veröffentlicht in 日本物理学会講演概要集
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24aBJ-6 4接合型磁束量子ビットにおけるエネルギー準位間の遷移シミュレーション(24aBJ 微小接合・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))...
Veröffentlicht in 日本物理学会講演概要集
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01aA07 Na系フラックスを用いたGaN単結晶育成における準安定領域の調査(半導体バルク(2),第36回結晶成長国内会議)
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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17aD03 第一原理計算による金属液体への窒素溶解度の算出 : GaNの液相育成のために(結晶成長基礎(1),第35回結晶成長国内会議)
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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26aB11 Naフラックス法を用いたGaN単結晶育成における添加物の効果(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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26aB12 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長,part I(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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26aB13 高温溶液中での対流下におけるGaN単結晶のLPE成長part II(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議)
Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌
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