LiTaO3基板上へのα-Ga2O3の成長にα-Fe2O3バッファ層の成長時間が与える影響 von 島添, 和樹, 西中, 浩之, 新田, 悠汰, 吉本, 昌広

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α-Fe2O3バッファ層の挿入によるフレキシブルな合成雲母基板上へのα-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長 von 新田, 悠汰, 西中, 浩之, 島添, 和樹, 吉本, 昌広

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ミストCVD法を用いたYSZ(111)面基板上のIMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価 von 石野, 貴之, 島添, 和樹, 西中, 浩之, 吉本, 昌広

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ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHfxZr1-xO2薄膜成長 von 島添, 和樹, 藤原, 悠希, 新田, 悠汰, 西中, 浩之, 吉本, 昌広, 野田, 実

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ミストCVD法によるLiTaO3基板上へのバッファ層を用いないrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長とその評価 von 島添, 和樹, 西中, 浩之, 新田, 悠汰, 伊藤, 雄祐, 吉本, 昌広

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ミストCVD法を用いたフレキシブルなワイドギャップ酸化物半導体のエピタキシャル成長 von 新田, 悠汰, 西中, 浩之, 島添, 和樹, 田原, 大祐, 吉本, 昌広

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ミストCVD法による準安定相rh-ITO薄膜のエピタキシャル成長と評価 von 島添, 和樹, 西中, 浩之, 田原, 大祐, 新田, 悠汰, 吉本, 昌広

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α-Fe2O3バッファー層を用いたr面α-Al2O3基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル薄膜の成長と評価 von 島添, 和樹, 西中, 浩之, 吉本, 昌広

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ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga2O3薄膜成長と電気的特性評価 von 伊藤, 雄祐, 藤原, 悠希, 西中, 浩之, 田原, 大祐, 島添, 和樹, 新田, 悠汰, 野田, 実, 吉本, 昌広

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合成雲母上へのバッファ層の挿入による曲げられるα-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長 von 新田, 悠汰, 西中, 浩之, 田原, 大祐, 島添, 和樹, 伊藤, 雄祐, 吉本, 昌広

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LiNbO3,LiTaO3基板上のα, ε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長 von 島添, 和樹, 西中, 浩之, 田原, 大祐, 新田, 悠汰, 吉本, 昌広

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