GaAs MCEにおけるらせんステップ源による法線成長速度決定メカニズム von 水野, 陽介, 冨田, 将史, 高倉, 宏幸, 岩川, 宗樹, 神林, 大介, 丸山, 隆浩, 成塚, 重弥

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膜厚制御メサ加工基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長 von 岩川, 宗樹, 高倉, 宏幸, 冨田, 将史, 神林, 大介, 安井, 亮太, 水野, 陽介, 丸山, 隆浩, 成塚, 重弥

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GaAs MCEにおける表面過飽和度と法線成長速度の関係 von 冨田, 将史, 高倉, 宏幸, 水野, 陽介, 岩川, 宗樹, 山田, 純平, 神林, 大介, 丸山, 隆浩, 成塚, 重弥

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GaN横方向成長を目指したタングステンマスクによる電流制御型液相成長 von 高倉, 宏幸, 冨田, 将史, 神林, 大介, 岩川, 宗樹, 水野, 陽介, 山田, 純平, 成塚, 重弥, 丸山, 隆浩

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GaAsマイクロチャンネルエピタキシーにおけるマスクパターン形状による過飽和度制御 von 冨田, 将史, 高倉, 宏幸, 岩川, 宗樹, 水野, 陽介, 山田, 純平, 菱田, 武重, 神林, 大介, 成塚, 重弥

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酸化アルミニウムマスクを用いた電流制御型液相成長によるGaN選択成長 von 高倉, 宏幸, 冨田, 将史, 神林, 大介, 岩川, 宗樹, 水野, 陽介, 山田, 純平, 成塚, 重弥, 丸山, 隆浩

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GaAs MCEにおけるステップ源である積層欠陥からの2次元核の生成 von 冨田, 将史, 高倉, 宏幸, 岩川, 宗樹, 水野, 陽介, 山田, 純平, 神林, 大介, 成塚, 重弥, 丸山, 隆浩

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3Dプリンターを用いた流速支援GaN液相成長用ボートの設計 von 岩川, 宗樹, 高倉, 宏幸, 冨田, 将史, 神林, 大介, 安井, 亮太, 水野, 陽介, 山田, 純平, 丸山, 隆浩, 成塚, 重弥

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メサ加工テンプレート基板を用いた電流制御型液相成長によるGaN横方向成長 von 高倉, 宏幸, 冨田, 将史, 神林, 大介, 岩川, 宗樹, 水野, 隆之, 山田, 尚人, 安永, 達也, 丸山, 隆浩, 成塚, 重弥

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