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28aYG-12 HCN水溶液によるSiO_2表面の吸着Ni除去機構(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長) von 高橋, 昌男, 東, 裕子, 劉, 〓伶, 岩佐, 仁雄, 小林, 光

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気相硝酸酸化法による～3nm SiO2/Si構造の低温創成 von 田中, 峻介, 松本, 健俊, 岩佐, 仁雄, 小林, 光

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STAIN FILMの酸化(I) : 半導体 von 岩佐, 仁雄, 沢田, 良治, 高柳, 重敏

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