一定温度MCTSによるn-GaN中炭素関連深い準位の評価 von 山田, 悠二郎, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 塩島, 謙次

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MCTS法によるn-GaNショットキダイオードの少数キャリアトラップ評価 von 山田, 悠二郎, 徳田, 豊, 上田, 博之, 上杉, 勉, 加地, 徹

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GaN自立基板上のn-GaN面内ホールトラップ濃度分布 von 松村, 俊哉, 丸山, 雄史, 山口, 真太朗, 山田, 悠二郎, 本田, 銀熙, 徳田, 豊, 上田, 博之, 成田, 哲生, 上杉, 勉, 加地, 徹

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炭素ドーピングされたn-GaN中の深い準位の評価 von 山田, 悠二郎, 横井, 将大, 坂崎, 真司, 石倉, 正也, 塩島, 謙次, 徳田, 豊

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AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響 von 國塩, 直樹, 塩島, 謙次, 山田, 悠二郎, 柴田, 龍成, 秋山, 一樹, 徳田, 豊

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