4H-SiC m面上にドライ+ウェット酸化プロセスにより形成されたMOS界面の界面準位密度および電気的ストレスに対する安定性のウェット酸化条件による変化... von 黒山, 滉平, 平井, 悠久, 山本, 建策, 林, 真理子, 細川, 徳一, 喜多, 浩之

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界面近傍のSiO2微視的構造とMOS界面の電気特性から見た4H-SiC m面のウェット酸化により形成されたMOS界面の特徴 von 黒山, 滉平, 平井, 悠久, 山本, 建策, 林, 真理子, 喜多, 浩之

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4H-SiC m面上に形成された熱酸化膜の界面近傍における微視的構造の特徴の赤外分光法による解析 von 黒山, 滉平, 平井, 悠久, 山本, 建策, 金村, 髙司, 喜多, 浩之

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SiO2/SiC MOS 構造における伝導帯端近傍の界面特性 von 竹内, 和歌奈, 山本, 建策, 坂下, 満男, 金村, 髙司, 中塚, 理, 財満, 鎭明

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23pWB-1 孤立電荷移動錯体分子対の単一分子分光 von 財満, 康太郎, 山本, 建策, 竹田, 研爾, 斎木, 敏治, 五神, 真

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23pWB-1 孤立電荷移動錯体分子対の単一分子分光 von 財満, 康太郎, 山本, 建策, 竹田, 研爾, 斎木, 敏治, 五神, 真

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7aXF-2 InGaNクラスターの近接場光学分光(原子・分子,領域1) von 山本, 建策, 青木, 隆朗, 西川, 幸江, 斎木, 敏治, 五神, 真

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