界面欠陥分布の空間スケールとSiC MOSFETの電界効果移動度の関係に関する数値的検討 von 山末, 耕平, 長, 康雄

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局所DLTSを用いたSiO₂/Si界面におけるバイアスストレスの影響評価に関する検討 von 鈴木, 小春, 山末, 耕平, 長, 康雄

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非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる金属表面の双極子誘起電位の観察 von 山末, 耕平, 長, 康雄

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不均一な界面欠陥分布がSiC MOSFETのチャネル移動度に及ぼす影響 ― 局所DLTS測定とデバイスシミュレーションに基づく検討 von 山末, 耕平, 山岸, 裕史, 長, 康雄

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絶縁膜付き探針を用いた層状半導体のSNDM観察 von 高野, 幸喜, 山末, 耕平, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO2/Siにおける界面状態不均一の可視化に関する検討 von 鈴木, 小春, 山末, 耕平, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体キャリア分布観察のための絶縁膜付きカンチレバーの開発 (2) von 高野, 幸喜, 山末, 耕平, 長, 康雄

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原子間力顕微鏡における制御応用とその展望(<特集>ナノ・マイクロテクノロジーの制御理論と応用) von 山末, 耕平, 引原, 隆士

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走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体キャリア分布観察のための絶縁膜付きカンチレバーの開発 von 高野, 幸喜, 山末, 耕平, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率顕微鏡によるSiO2/Si基板上の剥離二硫化モリブデンの観察 von 山末, 耕平, 長, 康雄

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時間分解・局所DLTS 法 を用いた マクロステップ を有するSiO2/SiC の界面準位密度分布の測定(2) von 保坂, 杏奈, 山末, 耕平, Judith, Woerle, Gabriel, Ferro, Ulrike, Grossner, Massimo, Camarda, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率顕微鏡による機械剥離WSe2/SiO2と架橋型WSe2のキャリア分布の観察 von 高野, 幸喜, 山末, 耕平, 加藤, 俊顕, 金子, 俊郎, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率ポテンショメトリを用いたGaN の自発分極測定に関する実験的検討 von 山末, 耕平, 長, 康雄

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局所DLTS法を用いたマクロステップを有するSiCにおける界面準位密度分布の測定 von 保坂, 杏奈, 山末, 耕平, Woerle, Judith, Bongiorno, Corrado, Ferro, Gabriel, Grossner, Ulrike, Camarda, Massimo, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率顕微鏡と静電気力顕微鏡を用いたSiO2上剥離WSe2におけるキャリア分布観察 von 山末, 耕平, 加藤, 俊顕, 金子, 俊郎, 長, 康雄

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非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによるSi(111)-(7x7)表面における分極電荷密度の原子スケール観察 von 山末, 耕平, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO2上剥離WSe2観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性 von 山末, 耕平, 加藤, 俊顕, 金子, 俊郎, 長, 康雄

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走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる表面自発分極の測定に関する検討 von 山末, 耕平, 長, 康雄

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ESSニュース: NOLTA, IEICE 特集案内 von 山末, 耕平

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走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる自発分極誘起電位の選択的測定 von 山末, 耕平, 長, 康雄

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