周波数変調原子間力顕微鏡を用いたFe2O3(0001)表面の溶媒中解析 von 笹原, 亮, 小椋, 拓哉, 粉川, 良平, 森口, 志穂, 辻本, 鉄平, 大西, 洋

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依頼講演 5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作 von 平本 俊郎, 更屋 拓哉, 伊藤 一夫, 高倉 俊彦, 福井 宗利, 鈴木 慎一, 竹内 潔, 附田 正則, 沼沢 陽一郎, 佐藤 克己, 末代 知子, 齋藤 渉, 角嶋 邦之, 星井 拓也, 古川 和由, 渡辺 正裕, 執行 直之, 若林 整, 筒井 一生, 岩井 洋, 小椋 厚志, 西澤 伸一, 大村 一郎, 大橋 弘通

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Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III von 小林, 弘人, 横川, 凌, 木下, 晃輔, 沼沢, 陽一郎, 小椋, 厚志, 西澤, 伸一, 更屋, 拓哉, 伊藤, 一夫, 高倉, 俊彦, 鈴木, 慎一, 福井, 宗利, 竹内, 潔, 平本, 俊郎

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Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価 von 小林, 弘人, 横川, 凌, 鈴木, 貴博, 沼沢, 陽一郎, 小椋, 厚志, 西澤, 伸一, 更屋, 拓哉, 伊藤, 和夫, 高倉, 俊彦, 鈴木, 慎一, 福井, 宗利, 竹内, 潔, 平本, 俊郎

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