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    In-Plane GateデバイスのC-V特性

    In-Plane GateデバイスのC-V特性 von 小笠原, 祐貴, 小松崎, 優治, 佐波, 謙一, 小野満, 恒二, 堀越, 佳治


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    HfO2を用いたin-plane gate デバイスの特性

    HfO2を用いたin-plane gate デバイスの特性 von 佐波, 謙一, 小松崎, 優治, 小野満, 恒二, 原田, 裕一, 堀越, 佳治


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    Al2O3を用いたin-plane gateデバイスの特性

    Al2O3を用いたin-plane gateデバイスの特性 von 佐波, 謙一, 小松崎, 優治, 小野満, 恒二, 原田, 裕一, 堀越, 佳治


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    In-Plane Gateデバイスにおける電気特性の構造依存性

    In-Plane Gateデバイスにおける電気特性の構造依存性 von 小松崎, 優治, 京極, 智輝, 小野満, 恒二, 堀越, 佳治


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    In-Plane Gate論理回路の電気特性と集積化

    In-Plane Gate論理回路の電気特性と集積化 von 小松崎, 優治, 佐波, 謙一, 小野満, 恒二, 山口, 浩司, 堀越, 佳治


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    In-Plane Gateデバイスを用いた論理回路の製作と動作

    In-Plane Gateデバイスを用いた論理回路の製作と動作 von 小松崎, 優治, 京極, 智輝, 佐波, 謙一, 小野満, 恒二, 山口, 浩司, 堀越, 佳治


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    In-Plane Gateデバイスにおける負性微分抵抗の構造依存性

    In-Plane Gateデバイスにおける負性微分抵抗の構造依存性 von 小松崎, 優治, 東, 千博, 京極, 智輝, 小野満, 恒二, 堀越, 佳治


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