n型AlInN/GaN DBRを有する微小共振器LED von 池山, 和希, 小塚, 祐吾, 吉田, 翔太朗, 松井, 健城, 赤木, 孝信, 岩山, 章, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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MOVPE法を用いた高品質AlInNの高速成長 von 池山, 和希, 小塚, 祐吾, 安田, 俊輝, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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高成長速度AlInNによる窒化物半導体多層膜反射鏡 von 小塚, 祐吾, 池山, 和希, 安田, 俊輝, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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MOVPE法を用いたSi添加AlInN/GaNヘテロ接合の電気的特性 von 池山, 和希, 安田, 俊輝, 小塚, 祐吾, 堀川, 航佑, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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高成長速度AlInN/GaN多層膜反射鏡を用いた面発光レーザのパルス発振 von 小塚, 祐吾, 池山, 和希, 赤木, 孝信, 岩山, 章, 中田, 圭祐, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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MOVPE法によるAlInNの高速成長 von 小塚, 祐吾, 安田, 俊輝, 鈴木, 智行, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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MOVPE法によるAlInN高速成長の影響 von 小塚, 祐吾, 鈴木, 智行, 森田, 隆敏, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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Room-temperature continuous-wave operation of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with n-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors von Ikeyama, Kazuki, Kozuka, Yugo, Matsui, Kenjo, Yoshida, Shotaro, Akagi, Takanobu, Akatsuka, Yasuto, Koide, Norikatsu, Takeuchi, Tetsuya, Kamiyama, Satoshi, Iwaya, Motoaki, Akasaki, Isamu

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