Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p–i–n diodes von 林, 将平, 山下, 任, 先崎, 純寿, 宮里, 真樹, 呂, 民雅, 宮島, 將昭, 加藤, 智久, 米澤, 喜幸, 児島, 一聡, 奥村, 元

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4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における界面転位を起源とした積層欠陥の拡大と構造解析 von 林, 将平, 山下, 任, 宮里, 真樹, 宮島, 將昭, 先崎, 純寿, 加藤, 智久, 米澤, 喜幸, 児島, 一聡, 奥村, 元

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4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における積層欠陥拡大起源となる基底面転位の構造解析 von 林, 将平, 山下, 任, 先崎, 純寿, 宮里, 真樹, 宮島, 將昭, 加藤, 智久, 米澤, 喜幸, 児島, 一聡, 奥村, 元

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4H-SiC PiN ダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係（Ⅱ） von 林, 将平, 山下, 任, 先崎, 純寿, 宮里, 真樹, 呂, 民雅, 宮島, 將昭, 加藤, 智久, 米澤, 喜幸, 児島, 一聡, 奥村, 元

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4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係 von 林, 将平, 山下, 任, 先崎, 純寿, 宮里, 真樹, 呂, 民雅, 宮島, 將昭, 米澤, 喜幸, 加藤, 智久, 児島, 一聡, 奥村, 元

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4H-SiC PiN diodeにおける積層欠陥の拡大および縮小現象のその場観察 von 呂, 民雅, 俵, 武志, 宮里, 真樹, 藤本, 卓巳, 竹中, 研介, 宮島, 將昭, 大月, 章弘, 土田, 秀一, 加藤, 智久

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再結合促進層を用いた4H-SiC PiNダイオード順方向劣化の抑制 von 俵, 武志, 宮澤, 哲哉, 呂, 民雅, 宮里, 真樹, 藤本, 卓巳, 竹中, 研介, 松永, 慎一郎, 宮島, 將昭, 大月, 章弘, 米澤, 喜幸, 加藤, 智久, 奥村, 元, 木本, 恒暢, 土田, 秀一

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Structural analysis of basal-plane dislocations to be origins of stacking fault expansion in forward degradation of 4H-SiC PiN diodes von Hayashi, Shohei, Yamashita, Tamotsu, Senzaki, Junji, Miyazato, Masaki, Miyajima, Masaaki, Kato, Tomohisa, Yonezawa, Yoshiyuki, Kojima, Kazutoshi, Okumura, Hajime

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Relationship between Current Density and Stacking Fault Expansion Origin in Forward Degradation of 4H-SiC PiN Diode (II) von HAYASHI, SHOHEI, YAMASHITA, TAMOTSU, SENZAKI, JUNJI, MIYAZATO, MASAKI, RYO, MINA, MIYAJIMA, MASAAKI, KATO, TOMOHISA, YONEZAWA, YOSHIYUKI, KOJIMA, KAZUTOSHI, OKUMURA, HAJIME

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Relationship between Current Density and Stacking Fault Expansion Origin in Forward Degradation of 4H-SiC PiN Diode von HAYASHI, SHOHEI, YAMASHITA, TAMOTSU, JUNJI, SENZAKI, MASAKI, MIYAZATO, MINA, RYO, MIYAJIMA, MASAAKI, YONEZAWA, YOSHIYUKI, KATO, TOMOHISA, KOJIMA, KAZUTOSHI, OKUMURA, HAJIME

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高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上のエピタキシャル層に通電によって拡張した積層欠陥の構造評価 von 寺西, 秀明, 斎藤, 明, 林, 真吾, 宮里, 真樹, 宮島, 将昭

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