23pAD-6 ホイスラー合金Co_2FeSi薄膜におけるGilbertダンピング定数の異方性 von 笠谷, 雄一, 山田, 晋也, 伊藤, 博介, 宮尾, 正信, 浜屋, 宏平, 能崎, 幸雄

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Enhanced mobility of Sn-doped Ge thin-films (≤50 nm) on insulator for fully depleted transistors by nucleation-controlled solid-phase crystallization von Xu, Chang, Gong, Xiangsheng, Miyao, Masanobu, Sadoh, Taizoh

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26aPS-34 ホイスラー合金を有する横型スピンバルブ素子におけるスピンホール効果の観測(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))... von 真崎, 紘平, 橋本, 直樹, 前田, 雄也, 木村, 崇, 宮尾, 正信, 浜屋, 宏平

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23pRA-8 ホイスラー合金薄膜におけるダンピング定数の結晶方位依存性(23pRA スピントロニクス(スピントルク・電流誘起ダイナミクス・薄膜・微粒子),領域3(磁性,磁気共鳴))... von 笠谷, 雄一, 佐藤, 奈々, 山田, 晋也, 宮尾, 正信, 浜屋, 宏平, 能崎, 幸雄

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Chip-size formation of high-mobility Ge strips on SiN films by cooling rate controlled rapid-melting growth von Toko, Kaoru, Ohta, Yasuharu, Tanaka, Takanori, Sadoh, Taizoh, Miyao, Masanobu

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26aPS-33 4元系ホイスラー合金を用いた純スピン流の検出(26aPS 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴)) von 沖, 宗一郎, 橋本, 直樹, 山田, 晋也, 村上, 達彦, 木村, 崇, 宮尾, 正信, 浜屋, 宏平

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Sb誘起層交換法によるn型Ge/絶縁膜の低温成長 －極薄Ge下地層挿入効果 von 高, 洪ミョウ, 宮尾, 正信, 佐道, 泰造

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触媒成長法を用いたIV族半導体/絶縁膜の低温形成 － 高性能フレキシブル・エレクトロニクスの創出を目指して von 佐道, 泰造, 宮尾, 正信, 角田, 功

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Defect-free Ge-on-insulator with (100), (110), and (111) orientations by growth-direction-selected rapid-melting growth von Toko, Kaoru, Tanaka, Takanori, Ohta, Yasuharu, Sadoh, Taizoh, Miyao, Masanobu

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ガラス上に於ける多結晶SiGeの低温固相成長 von 宮尾, 正信, 菅野, 裕士, 佐道, 泰造

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膜厚変調型Sb誘起層交換法によるn型Ge/絶縁膜の低温成長 von 高, 洪ミョウ, 青木, 陸太, 宮尾, 正信, 佐道, 泰造

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Sn 添加Ge/絶縁基板の固相成長に与えるSi 下地層挿入効果：キャリア移動度の向上機構 von 徐, 暢, 高, 洪ミョウ, 杉野, 貴之, 宮尾, 正信, 佐道, 泰造

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弱レーザー照射による非晶質GeSn/絶縁基板の固相成長の促進 ― 初期Sn濃度依存性 von 杉野, 貴之, 茂藤, 健太, 松村, 亮, 宮尾, 正信, 池上, 浩, 佐道, 泰造

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AIC法によるSnドープGe/絶縁膜の高速低温成長 von 佐々木, 雅也, 佐道, 泰造, 宮尾, 正信

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絶縁膜上におけるa-Ge1-xSnx(x≥0.1)のAu 触媒誘起横方向低温成長 von 酒井, 崇嗣, 松村, 亮, 佐道, 泰造, 宮尾, 正信

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Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si1-xGex(0≦x≦1)薄膜の低温形成 von 菅野, 裕士, 権丈, 淳, 佐道, 泰造, 宮尾, 正信

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Single-crystalline (100) Ge networks on insulators by rapid-melting growth along hexagonal mesh-pattern von Toko, Kaoru, Ohta, Yasuharu, Sakane, Takashi, Sadoh, Taizoh, Mizushima, Ichiro, Miyao, Masanobu

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Sn添加Ge/絶縁基板の固相成長に与えるSi下地層挿入効果 von 徐, 暢, 高, 洪ミョウ, 杉野, 貴之, 宮尾, 正信, 佐道, 泰造

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弱レーザー照射による非晶質GeSn/絶縁基板の固相成長の促進 ― 薄膜化による置換Sn濃度の向上 von 杉野, 貴之, 茂藤, 健太, 松村, 亮, 宮尾, 正信, 池上, 浩, 佐道, 泰造

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SiSn/絶縁基板の低温固相成長に与える膜厚効果 von 八木, 和樹, 高, 洪ミョウ, 杉野, 貴之, 宮尾, 正信, 佐道, 泰造

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