27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 五十嵐, 玄, 渡辺, 信嗣, 宮下, 宣, 熊田, 倫雄, 平山, 祥郎, 小林, 嵩

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27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 野村, 晋太郎, 山口, 真澄, 田村, 浩之, 赤崎, 達志, 丸山, 達朗, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴)) von 川村, 昂, 早川, 純一朗, 小野満, 恒二, 宮下, 宣, 藤澤, 利正, 遊佐, 剛

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20pYF-2 横結合2重量子ドットにおける近藤-ファノ効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 佐々木, 智, 田村, 浩之, 宮下, 宣, 丸山, 達朗, 赤崎, 達志, 藤澤, 利正

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20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 野村, 晋太郎, 山口, 真澄, 田村, 浩之, 赤崎, 達志, 丸山, 達朗, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 早川, 純一朗, 川村, 昂, 桑野, 信, 小野満, 恒二, 宮下, 宣, 藤澤, 利正, 遊佐, 剛

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25pXL-14 GaAs/AlGaAs二次元電子系におけるピエゾ電圧効果(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 山口, 浩司, 岡本, 創, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在) von 熊田, 倫雄, 鎌田, 雄仁, 平山, 祥郎, 宮下, 宣, 藤澤, 利正

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18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)... von 太田, 剛, 熊田, 倫雄, 遊佐, 剛, 宮下, 宣, 藤澤, 利正, 平山, 祥郎

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21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在) von 山口, 真澄, 野村, 晋太郎, 田村, 浩之, 赤崎, 達志, 丸山, 達朗, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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21pTA-6 独立コンタクトを有する2重量子ドット-量子細線結合系の電気伝導特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在) von 佐々木, 智, 田村, 浩之, 宮下, 宣, 丸山, 達朗, 赤崎, 達志, 平山, 祥郎, 高柳, 英明

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21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)... von 野村, 晋太郎, 山口, 真澄, 田村, 浩之, 赤崎, 達志, 丸山, 達朗, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在) von 山口, 真澄, 野村, 晋太郎, 丸山, 達朗, 赤崎, 達志, 田村, 浩之, 高柳, 英明, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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25pXL-4 GaAs核スピン高偏極デバイスにおける核四重極相互作用(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 太田, 剛, 熊田, 倫雄, 村木, 康二, 遊佐, 剛, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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27aXB-1 量子ホール系における歪効果と電子系によるエネルギー散逸(27aXB 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 山口, 浩司, 岡本, 創, 宮下, 宣, 丸田, 裕己, 石原, 直, 平山, 祥郎

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31aZP-6 InAs/GaSb ヘテロ構造の量子ホール効果 : 斜め磁場の効果 von 鈴木, 恭一, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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20pTL-6 InAs/AlGaSb ピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子干渉効果 von 山口, 浩司, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4) von 鈴木, 恭一, 高品, 圭, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4) von 山口, 浩司, 都倉, 康弘, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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20aYC-3 GaAsナノデバイスを用いたν=2/3分数量子ホール状態におけるNMRスペクトルの観測(量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 太田, 剛, 遊佐, 剛, 村木, 康二, 熊田, 倫雄, 宮下, 宣, 平山, 祥郎

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