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    Fabrication and characterization of the normally,off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

    Fabrication and characterization of the normally,off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors von 宋庆文 汤晓燕 何艳静 唐冠男 王悦湖 张艺蒙 郭辉 贾仁需 吕红亮 张义门 张玉明

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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