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    The fabrication and characterization of 4H-SiC power UMOSFETs

    The fabrication and characterization of 4H-SiC power UMOSFETs von 宋庆文 张玉明 韩吉胜 Philip Tanner Sima Dimitrijev 张义门 汤晓燕 郭辉

    Veröffentlicht in Chinese physics B

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