8.尿管拡張術後の右側腹部痛に対し多面的段階的治療が著効した1例(一般演題,第44回日本心身医学会九州地方会演題抄録(1)) von 津元, 智子, 細井, 昌子, 富岡, 光直, 安田, 哲二郎, 大谷, 弘行, 山城, 康嗣, 判田, 正典, 高橋, 成輔, 久保, 千春

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招待講演 シリコンスピン量子ビットのコヒーレンス時間改善に向けたクライオCMOSにおける低周波ノイズ発生源の解明 von 岡 博史, 松川 貴, 加藤 公彦, 飯塚 将太, 水林 亘, 遠藤 和彦, 安田 哲二, 森 貴洋

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クライオCMOSを用いた極低温下における1/fノイズ発生源の解明 von 岡, 博史, 松川, 貴, 加藤, 公彦, 飯塚, 将太, 水林, 亘, 遠藤, 和彦, 安田, 哲二, 森, 貴洋

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反射率差振動を利用したシリコン酸化層数のその場計測 von 安田, 哲二

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シリコントンネルトランジスタのスピン量子ビット応用 von 森, 貴洋, 森山, 悟士, 松川, 貴, 安田, 哲二, 大野, 圭司

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等電子トラップを導入したTFET のばらつき評価 von 森, 貴洋, 右田, 真司, 福田, 浩一, 森田, 行則, 水林, 亘, 柳, 永勛, 大内, 真一, 更田, 裕司, 大塚, 慎太郎, 安田, 哲二, 昌原, 明植, 松川, 貴

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GaSb表面の純窒化プロセスの検討 von 後藤, 高寛, 藤川, 紗千恵, 藤代, 博記, 小倉, 睦郎, 安田, 哲二, 前田, 辰郎

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窒素組成制御による金属性HfN/絶縁性HfNx/Ge-MIS構造の研究 von 三浦, 脩, 田中, 正俊, 安田, 哲二, 前田, 辰郎

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Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO2/GaSb MOSキャパシタの作製 von 大竹, 晃浩, 宮田, 典幸, 間野, 高明, 森, 貴洋, 安田, 哲二

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HfO2/Si界面におけるダイポールとSi酸化状態の関係 von 宮田, 典幸, 安田, 哲二

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GaSb(100)-c(2x6)表面に形成したHfO2 MOSキャパシタの電気特性 von 宮田, 典幸, 大竹, 晃浩, 市川, 昌和, 安田, 哲二

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Al2O3/GaSb MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討 von 後藤, 高寛, 藤川, 紗千恵, 藤代, 博記, 小倉, 睦郎, 安田, 哲二, 前田, 辰郎

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Tunnel FETの短チャネル効果の検討 von 福田, 浩一, 森, 貴洋, 水林, 亘, 森田, 行則, 昌原, 明植, 安田, 哲二, 右田, 真司, 太田, 裕之

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等電子トラップ援用TFETにおけるSubthreshold Slopeの温度依存性 von 森, 貴洋, 森田, 行則, 宮田, 典幸, 右田, 真司, 福田, 浩一, 昌原, 明植, 安田, 哲二, 太田, 裕之

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窒素組成制御による高移動度チャネル材料向け金属HfN/絶縁性HfNx/半導体MIS構造の研究 von 三浦, 脩, 田中, 正俊, 前田, 辰郎, 安田, 哲二

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Si(113)表面初期酸化過程における電子状態の解析 von 大野, 真也, 安部, 壮祐, 三浦, 脩, 成重, 卓真, 吉越, 章隆, 寺岡, 有殿, 安田, 哲二, 田中, 正俊

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GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証 von 後藤, 高寛, 藤川, 紗千恵, 藤代, 博記, 小倉, 睦郞, 安田, 哲二, 前田, 辰郎

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等電子トラップによるTFETのON電流増大の可能性検討 von 森, 貴洋, 森田, 行則, 宮田, 典幸, 右田, 真司, 昌原, 明植, 安田, 哲二, 太田, 裕之

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GaAs基板上GaSb MOS 構造の作製 von 後藤, 高寛, 原, 紳介, 藤代, 博記, 小倉, 睦郎, 安田, 哲二, 前田, 辰郎

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バックエンド集積化に向けたポリイミド上InGaAs-nMISFET von 前田, 辰郎, 石井, 裕之, 板谷, 太郎, 安田, 哲二, 市川, 磨, 秦, 雅彦

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