26aB08 3C-SiC/Si上へのrf-MBE成長h-GaNに対する窒素イオンと電子が及ぼす影響(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議) von 菊池, 友, 藤井, 範章, 安田, 貴憲, 山口, 哲, 中村, 宣隆, 宮内, 勝久, 有屋田, 修, 和田, 元, 大鉢, 忠

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26aB10 MBE装置による超高真空下3C-SiC/Si(001)テンプレート作製とc-GaNの均一性(窒化物(2),第34回結晶成長国内会議) von 菊池, 友, 藤井, 範章, 安田, 貴憲, 山口, 哲, 中村, 宣隆, 宮内, 勝久, 有屋田, 修, 和田, 元, 大鉢, 忠

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