紫外発光素子に向けたp層側光吸収低減の検討 von 安田, 俊輝, 桑原, 奈津子, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇, 天野, 浩

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分極電荷による高ホール濃度を有するp型AlGaNの作製 von 安田, 俊輝, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇, 天野, 浩

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深紫外LEDのためのITO/Ga2O3多層膜透明電極の検討 von 桑原, 奈津子, 安田, 俊輝, 勝野, 翔太, 小出, 典克, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇

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MOVPE法を用いた高品質AlInNの高速成長 von 池山, 和希, 小塚, 祐吾, 安田, 俊輝, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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高成長速度AlInNによる窒化物半導体多層膜反射鏡 von 小塚, 祐吾, 池山, 和希, 安田, 俊輝, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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MOVPE法を用いたSi添加AlInN/GaNヘテロ接合の電気的特性 von 池山, 和希, 安田, 俊輝, 小塚, 祐吾, 堀川, 航佑, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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MOVPE法によるAlInNの高速成長 von 小塚, 祐吾, 安田, 俊輝, 鈴木, 智行, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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分極制御による紫外発光素子のホール注入の検討 von 安田, 俊輝, 林, 健人, 竹田, 健一郎, 中嶋, 翼, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇, 天野, 浩

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電子オーバーフロー直接観測を用いた青色LED電子ブロック層の検討 von 林, 健人, 松井, 健城, 安田, 俊輝, 勝野, 翔太, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤﨑, 勇

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非対称 AlN/GaN 多層膜反射鏡の設計と作製 von 萩原, 康大, 矢木, 康太, 安田, 俊輝, 竹田, 健一郎, 竹内, 哲也, 岩谷, 素顕, 上山, 智, 赤﨑, 勇

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ピエゾ・自発分極電荷への正孔蓄積の検討 von 安田, 俊輝, 矢木, 康太, 鈴木, 智行, 中嶋, 翼, 渡邉, 雅大, 竹内, 哲也, 上山, 智, 岩谷, 素顕, 赤崎, 勇

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