CMOSプロセス加工Siプラットフォーム上ハイブリッド光デバイスに向けたInP/Si直接接合へのSi側ダミーパターンの影響 von 御手洗, 拓矢, 稲村, 美希, 阿部, 智之, 守田, 憲司, 雨宮, 智宏, 西山, 伸彦

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30p-SA-8 極紫外分光計測法に基づく衝突励起断面積決定の新しい方法 von 赤木, 寛, 高柳, 俊暢, 脇谷, 一義, 鈴木, 洋, 守田, 憲司

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5a-NU-11 電子衝突によるXeIII(5S^05P^6)およびKrIII(4S^04P^6)状態から放出される真空紫外光の励起関数の測定 von 守田, 憲司, 鈴木, 洋, 脇谷, 一義, 高柳, 俊暢

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