Low-volume-loss surface polishing with a krypton fluoride excimer laser for polycrystalline diamond films von Katamune, Y., Murasawa, K., Yoshitake, T., Kikuchi, T., Imokawa, K., Ikenoue, H.

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KrFレーザードーピングによる SiC 極表面変化 ―レーザードーピングメカニズムの研究 (その１) von 妹川, 要, 納富, 良一, 宇佐見, 康継

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KrFレーザードーピングによる SiC 極表面変化 ―レーザードーピングメカニズムの研究（その２） von 妹川, 要, 納富, 良一, 宇佐見, 康継

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Formation of low resistivity layers on singlecrystalline diamond by excimer laser irradiation von Abubakr, Eslam, Zkria, Abdelrahman, Katamune, Yūki, Ohmagari, Shinya, Imokawa, Kaname, Ikenoue, Hiroshi, Yoshitake, Tsuyoshi

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KrFエキシマレーザーを用いた薄膜レーザードーピング法により形成されたn型4H-SiCのコンタクト特性及び結晶性評価 von 安並, 拓磨, 菊地, 俊文, 妹川, 要, 中村, 大輔, 池上, 浩

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短パルスレーザーによる高分子ナノポーラス膜の表面マイクロ加工 von 藤原, 華奈, Liu, Yida, 菊地, 俊文, 妹川, 要, 安藝, 翔馬, 星野, 友, 三浦, 佳子, 池上, 浩, 中村, 大輔

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薄膜レーザーアブレーションによりドーピングが施された4H-SiCの電気特性評価 von 菊地, 俊文, 妹川, 要, 池田, 晃裕, 中村, 大輔, 浅野, 種正, 池上, 浩

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塗布膜を用いたレーザードーピング法によるpoly-Si TFT 及びCMOSインバータ回路の製作 von 倉重, 貴行, 妹川, 要, 中村, 大輔, 佐道, 泰造, 後藤, 哲也, 池上, 浩

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レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の突起制御 von 濱野, 史暢, 妹川, 要, 中村, 大輔, 池上, 浩

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アルミナゾル塗布法による低温ポリシリコン膜中へのKrFエキシマレーザードーピング von 倉重, 貴行, 妹川, 要, 諏訪, 輝, 中村, 大輔, 後藤, 哲也, 池上, 浩

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レーザーアニール法による低温多結晶Si薄膜の表面平坦化及びトランジスタの作製と評価 von 濱野, 史暢, 妹川, 要, 中村, 大輔, 後藤, 哲也, 池上, 浩

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局所レーザーアニールにより結晶成長制御した低温多結晶Si薄膜トランジスタ特性 von 妹川, 要, 濱野, 史暢, 中村, 大輔, 齋藤, 香織, 後藤, 順, 後藤, 哲也, 池上, 浩

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レーザー照射による単結晶ダイヤモンド上への導電層の形成 von 吉武, 剛, アブバクル, エスラム, ゼクリア, アブデルラーマン, 片宗, 優貴, 大曲, 新矢, 妹川, 要, 池上, 浩

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ナノ秒紫外レーザーによるCO2分離用微多孔膜の表面アブレーション von 藤原, 華奈, Liu, Yida, 菊地, 俊文, 妹川, 要, 安藝, 翔馬, 星野, 友, 三浦, 佳子, 池上, 浩, 中村, 大輔

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局所レーザーアニールによる低温多結晶Si薄膜の結晶形状制御 von 山田, 貴大, 妹川, 要, 中村, 大輔, 後藤, 哲也, 池上, 浩

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SiCパワーデバイス製造用レーザードーピングシステムの開発 von 菊地, 俊文, 妹川, 要, 池田, 晃裕, 中村, 大輔, 浅野, 種正, 池上, 浩

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パルスレーザー蒸着法による高濃度Sn置換GeSn粒子の形成 von 中島, 哲平, 菊地, 俊文, 妹川, 要, 中村, 大輔, 池上, 浩

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リン酸塗布方式エキシマレーザードーピングを施した低温多結晶Si薄膜の電気特性 von 妹川, 要, 田中, 希, 諏訪, 輝, 中村, 大輔, 佐道, 泰造, 後藤, 哲也, 池上, 浩

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局所レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の結晶成長制御 von 山田, 貴大, 妹川, 要, 中村, 大輔, 後藤, 哲也, 池上, 浩

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リン酸溶液塗布法による低温ポリシリコン膜中へのKrFエキシマレーザードーピング von 妹川, 要, 田中, 希, 諏訪, 輝, 中村, 大輔, 佐道, 泰造, 池上, 浩

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