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    160 GHzアクティブモード同期半導体レーザーとその光クロック信号再生への応用 von 大野, 哲一郎, 佐藤, 憲史, 伊賀, 龍三, 近藤, 康洋, 吉野, 薫, 伊藤, 弘

    Veröffentlicht in レーザー研究

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    光照射MOCVD法によるZnS薄膜の成長とNaアクセプターに関連した発光特性 von 大野, 哲一郎, 田口, 常正

    Veröffentlicht in 表面科学

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    Growth of ZnS Epitaxial Layers by Photo-Assisted MOCVD Method and Na-Acceptor Impurity Related Emission Properties

    Growth of ZnS Epitaxial Layers by Photo-Assisted MOCVD Method and Na-Acceptor Impurity Related Emission Properties von OHNO, Tetsuichiro, TAGUCHI, Tsunemasa

    Veröffentlicht in Hyomen Kagaku

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