耐水性台木を用いたキウイフルーツの湛液型非流動水耕における培養液条件の検討 von 別府, 賢治, 白川, 結貴, 大野, 健太朗, 片岡, 郁雄

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3次元PLイメージング法とTEM法による太陽電池用多結晶Siインゴット中の転位発生点の構造解析 von 大野, 裕, 田島, 和哉, 沓掛, 健太朗, 宇佐, 美徳隆

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モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析機構 von 大野, 裕, 沓掛, 健太朗, 出浦, 桃子, 米永, 一郎, 清水, 康雄, 井上, 耕治, 海老澤, 直樹, 永井, 康介, 吉田, 秀人, 竹田, 精治

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21aCJ-11 顕微PLイメージング法によるシリコン結晶中粒界でのキャリア再結合速度の定量評価 von 沓掛, 健太朗, 二宮, 駿也, 出浦, 桃子, 大野, 裕, 宇佐美, 徳隆, 米永, 一郎

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G-4 自作オクルーダーを用いた鉗子操作の簡略化 von 平石滉介, 皿木智也, 鈴木雅人, 泉匠, 長沼紘平, 森健太朗, 吉田行宏, 村岡大起, 熊谷尚貴, 大野優菜

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21aCJ-1 Ge中のサーマルドナー形成の固溶酸素濃度依存性 von 井上, 海平, 村尾, 優, 太子, 敏則, 沓掛, 健太朗, 出浦, 桃子, 大野, 裕, 米永, 一郎

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21aCJ-2 窒化インジウム薄膜の硬度・ヤング率と結晶特性の関係 von 大久保, 泰, 徳本, 有紀, 出浦, 桃子, 後藤, 頼良, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕, 米永, 一郎

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17pAB-4 ゲルマニウム結晶中のサーマルドナー形成に対するスズ不純物濃度依存性 von 井上, 海平, 村尾, 優, 太子, 敏則, 沓掛, 健太朗, 出浦, 桃子, 大野, 裕, 米永, 一郎

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28pAM-7 シリコンの脆性-延性遷移温度での転位の運動と芯構造(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 井元, 裕也, 村尾, 優, 出浦, 桃子, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕, 米永, 一郎

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10aAE-1 ゲルマニウム結晶中のSn不純物の酸素クラスターに対する影響(10aAE 格子欠陥(半導体・金属・転位),領域10(構造物性(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)))... von 井上, 海平, 村尾, 優, 太子, 敏則, 沓掛, 健太朗, 出浦, 桃子, 大野, 裕, 米永, 一郎

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28pAM-2 ゲルマニウム中の酸素クラスターの熱平衡状態(28pAM 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 井上, 海平, 村尾, 優, 太子, 敏則, 沓掛, 健太朗, 出浦, 桃子, 大野, 裕, 米永, 一郎

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27aXS-1 高濃度As添加シリコン結晶育成時のネッキング過程における転位の発生挙動の解明(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 米永, 一郎, 徳本, 有紀, 大野, 裕, 沓掛, 健太朗, 後藤, 頼良, 井上, 海平

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27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_<1-x>N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 徳本, 有紀, 種市, 寛人, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕, 三宅, 秀人, 米永, 一郎

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26pKA-7 Al_xGa_<1-x>N薄膜の混晶硬化と秩序構造との相関(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)) von 徳本, 有紀, 種市, 寛人, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕, 三宅, 秀人, 米永, 一郎

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25pPSA-11 シリコン結晶中における転位の運動 : 低温域での転位の運動速度評価(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 井元, 裕也, 村尾, 優, 沓掛, 健太朗, 徳本, 有紀, 大野, 裕, 米永, 一郎

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20pAH-7 X線回折顕微法によるシリコン結晶中の成長時導入転位の特性の解明(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 米永, 一郎, 徳本, 有紀, 大野, 裕, 沓掛, 健太朗

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20pAH-2 AIN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 徳本, 有紀, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕, 米永, 一郎

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26pKA-6 高濃度Sn添加ゲルマニウム結晶における酸素同時添加の影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 井上, 海平, 村尾, 優, 太子, 敏則, 徳本, 有紀, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕, 米永, 一郎

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26pKA-8 各種の不純物を高濃度に添加したシリコン結晶の格子定数(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 米永, 一郎, 後藤, 頼良, 表, 和彦, 井上, 海平, 太子, 敏則, 徳本, 有紀, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕

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27aXS-9 Ge単結晶におけるサーマルドナーの赤外吸収スペクトル(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))... von 井上, 海平, 太子, 敏則, 徳本, 有紀, 村尾, 優, 沓掛, 健太朗, 大野, 裕, 米永, 一郎

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