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OVPE法によるCH4を用いた高速成長条件での厚膜・自立GaN結晶の作製
von
神山, 将大
,
郡司, 祥和
,
小林, 大也
,
大芝, 啓嘉
,
北本, 啓
,
今西, 正幸
,
吉村, 政志
,
伊勢村, 雅士
,
隅, 智亮
,
滝野, 淳一
,
岡山, 芳央
,
信岡, 政樹
,
森, 勇介
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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