InGaN赤色発光素子の結晶成長と特性評価 von 飯田, 大輔, 大川, 和宏

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二波長ラマン散乱分光を用いたInGaN/GaNヘテロ構造におけるフォノン輸送解析 von 石谷, 善博, 中山, 朋哉, 伊藤, 航太郎, 馬, 蓓, 飯田, 大輔, Najmi, Mohammed A., 大川, 和宏

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23pPSB-1 MOVPE成長高In組成InGaNの局在準位共鳴励起下の発光スペクトル von 田口, 雄飛, 宮島, 顕祐, 大川, 和宏

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28pPSB-72 MOVPE成長高In組成InGaNのキャリア寿命II(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))... von 宮島, 顕祐, 大木, 雄平, 大川, 和宏

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28pPSB-73 MOVPE成長高In組成InGaNの励起スペクトル(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))... von 長澤, 和輝, 宮島, 顕祐, 大川, 和宏

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赤色発光InGaN系マイクロLED von 庄, 喆, 飯田, 大輔, マーチン, ベラスケスリゾ, 大川, 和宏

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窒化物光触媒による水素エネルギー製造 von 大川, 和宏

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24pPSB-8 MOVPE成長高In組成InGaNのキャリア寿命(24pPSB 領域5 ポスターセッション,領域5(光物性)) von 宮島, 顕祐, 小林, 純二郎, 出浦, 桃子, 大川, 和宏

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InGaN赤色LED (I) 面内残留応力依存性 von 飯田, 大輔, 庄, 喆, パベル, キリレンコ, マーチン, ベラスケスリゾ, 大川, 和宏

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InGaN赤色LED (Ⅱ)低動作電圧 von 飯田, 大輔, 庄, 喆, パベル, キリレンコ, マーチン, ベラスケスリゾ, 大川, 和宏

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GaInN薄膜における膜内フォノン輸送過程の2波長同時照射ラマン分光法による解析 von 中山, 朋哉, 岡本, 駿吾, 伊藤, 航太郎, 森田, 健, 石谷, 善博, 馬, 蓓, 飯田, 大輔, 大川, 和宏

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２波長ラマン分光を用いたフォノン輸送評価における測定モード依存性 von 岡本, 駿吾, 馬, 蓓, 森田, 健, 飯田, 大輔, 大川, 和宏, 石谷, 善博

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ラマンピークシフトのマッピングによるInGaN のフォノン輸送評価 von 岡本, 駿吾, 馬, 蓓, 森田, 健, 飯田, 大輔, 大川, 和宏, 石谷, 善博

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27aPS-34 電気二重層内の水の巨大な電気光学効果 : GaN電極(領域5ポスターセッション,領域5,光物性) von 金丸, 博紀, 野坂, 勇悟, 平子, 晃, 大川, 和宏, 小林, 孝嘉, 徳永, 英司

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28pPSA-17 GaN電極による水の電場変調分光(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性)) von 金丸, 博紀, 野坂, 勇悟, 徳永, 英司, 平子, 晃, 大川, 和宏, 小林, 孝嘉

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ラマン散乱マッピングによるInGaNの局所フォノン場評価 von 齋藤, 直道, 瀧口, 佳祐, 馬, 蓓, 森田, 健, 飯田, 大輔, 大川, 和宏, 石谷, 善博

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21aRB-1 半極性GaNとドメイン分離GaNの構造解析(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))... von 照井, 大輔, 山崎, 貴司, 草部, 一秀, 大川, 和宏, 橋本, 巌

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InGaN光触媒によるゼロバイアス下でのクリーン水素生成 von 大川, 和宏, 飯田, 大輔, 清水, 隆光, ジネ, パトリック

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窒化物半導体MOVPEの反応モデルとシミュレーション von 大川, 和宏

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24pTA-6 高温成長半極性面GaNに生じる欠陥構造解析(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)... von 照井, 大輔, 山崎, 貴司, 草部, 一秀, 倉持, 幸治, 大川, 和宏, 橋本, 厳

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