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    青紫色GaN系VCSELの室温連続発振

    青紫色GaN系VCSELの室温連続発振 von 樋口, 裕, 大前, 邦途, 松村, 拓明, 向井, 孝志

    Veröffentlicht in レーザー研究

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    InGaN系半導体デバイスの発光機構

    InGaN系半導体デバイスの発光機構 von 川上, 養一, 大前, 邦途, 成川, 幸男, 中村, 修二, 藤田, 茂夫

    Veröffentlicht in 材料

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    LPE法による大面積・透明GaN単結晶の育成(<小特集>ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)

    LPE法による大面積・透明GaN単結晶の育成(<小特集>ナノ構造・エピ成長分科会特集「窒化物半導体エピタキシャル成長における基板の役割」の再考)... von 川村, 史朗, 岩橋, 友也, 森下, 昌紀, 大前, 邦途, 吉村, 政志, 森, 勇介, 佐々木, 孝友

    Veröffentlicht in 日本結晶成長学会誌

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    Emission Mechanism in InGaN-Based Light Emitting Devices

    Emission Mechanism in InGaN-Based Light Emitting Devices von KAWAKAMI, Yoichi, OMAE, Kunimichi, NARUKAWA, Yukio, NAKAMURA, Shuji, FUJITA, Shigeo


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