GaNパワーデバイス用HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2絶縁膜の特性比較 von 前田, 瑛里香, 生田目, 俊秀, 廣瀨, 雅史, 井上, 万里, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, 塩崎, 宏司, 橋詰, 保, 清野, 肇

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GaN/HfSiOx界面でSiO2及びHfO2初期成長層が電気特性へ及ぼす影響 von 前田, 瑛里香, 生田目, 俊秀, 廣瀨, 雅史, 井上, 万里, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, 塩崎, 宏司, 清野, 肇

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低温ALD法で作製したCドープIn2O3膜を用いた酸化物TFTの特性 von 小林, 陸, 生田目, 俊秀, 栗島, 一徳, 女屋, 崇, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, 長田, 貴弘, 塚越, 一仁, 小椋, 厚志

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ZrO2シード層による強誘電体HfxZr1−xO2薄膜形成 von 生田目, 俊秀, 女屋, 崇, 澤本, 直美, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, 小椋, 厚志

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300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性 von 女屋, 崇, 生田目, 俊秀, 澤本, 直美, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, 長田, 貴弘, 小椋, 厚志

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HfSiOx絶縁膜を用いたn-GaN MOS キャパシタの高耐圧特性 von 前田, 瑛里香, 生田目, 俊秀, 弓削, 雅津也, 廣瀨, 雅史, 井上, 万里, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, 塩崎, 宏司, 大石, 知司

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Al2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響 von 弓削, 雅津也, 生田目, 俊秀, 色川, 芳宏, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, Liwen, Sang, 知京, 豊裕, 小出, 康夫, 大石, 知司

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High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響 von 栗島, 一徳, 生田目, 俊秀, 女屋, 崇, 木津, たきお, 塚越, 一仁, 大井, 暁彦, 池田, 直樹, 知京, 豊裕, 小椋, 厚志

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ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割 von 女屋, 崇, 生田目, 俊秀, 澤田, 朋実, 栗島, 一徳, 澤本, 直美, 大井, 暁彦, 知京, 豊裕, 小椋, 厚志

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ZrO2絶縁膜/In-Si-Oチャネル界面が酸化物TFTのトランジスタ特性へ及ぼす影響 von 栗島, 一徳, 生田目, 俊秀, 木津, たきお, 塚越, 一仁, 女屋, 崇, 大井, 暁彦, 知京, 豊裕, 小椋, 厚志

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酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性 von 栗島, 一徳, 生田目, 俊秀, 三苫, 伸彦, 木津, たきお, 塚越, 一仁, 澤田, 朋実, 大井, 暁彦, 山本, 逸平, 大石, 知司, 知京, 豊裕, 小椋, 厚志

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低温度作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性 von 木村, 将之, 生田目, 俊秀, 山田, 博之, 大井, 暁彦, 成島, 利弘, 知京, 豊裕, 大石, 知司

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富士通における技術情報管理システム : 図書館管理システム von 重田, 暁彦, 大井, 清, 内, 利広

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