KFMによるa-Si:H系薄膜太陽電池の表面電位評価 von 伊藤, 貴紀, 酒井, 崇志, 守谷, 勇樹, 栗山, 寛, 伊藤, 貴司, 夏原, 宗大, 野々村, 修一

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KFMによるa-Si:H太陽電池の表面電位評価 von 酒井, 崇志, 中島, 慎一, 伊藤, 貴司, 夏原, 宗大, 野々村, 修一

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固相成長により面方位の異なるSi基板上に成長させた結晶ゲルマニウム薄膜に関する検討 von 鈴木, 敦士, 山口, 智明, ジュマ, シャン チェ, 夏原, 大宗, 磯村, 雅夫, 野々村, 修一

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合成時の真空度によるNa内包Siクラスレートの結晶構造変化 von 大橋, 史隆, 杉山, 智哉, 古橋, 昌充, 小倉, 拓也, 久米, 徹二, 伴, 隆幸, 夏原, 大宗, 野々村, 修一

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Siウェーハを用いたNa内包II型Siクラスレートの合成 von 岩井, 義樹, 大橋, 史隆, 新井, 紀貴, 服部, 真嗣, 姫野, 呂人, 小倉, 拓也, 伴, 隆幸, 久米, 徹二, 夏原, 大宗, 野々村, 修一

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光起電力顕微鏡を用いた薄膜Si太陽電池の微小領域発電特性 von 夏原, 大宗, 細江, 大祐, 稲葉, 友也, 河合, 正人, 大橋, 史隆, 伊藤, 貴司, 吉田, 憲充, 野々村, 修一

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Na内包Siクラスレートの合成における前処理効果 von 服部, 真嗣, 小倉, 拓也, 大橋, 史隆, 久米, 徹二, 伴, 隆幸, 羽渕, 仁恵, 飯田, 民夫, 夏原, 大宗, 野々村, 修一

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II型ゲルマニウムクラスレートの作製条件の検討 von 大橋, 良崇, 小倉, 拓也, 大橋, 史隆, 伴, 隆幸, 久米, 徹二, 羽渕, 仁恵, 飯田, 民夫, 夏原, 大宗, 野々村, 修一

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シリコンクラスレートにおける結晶構造の制御 von 大橋, 史隆, 姫野, 呂人, 纐纈, 隆造, 馬場, 達也, 鈴木, 敬俊, 伴, 隆幸, 久米, 徹二, 羽渕, 仁恵, 飯田, 民雄, 夏原, 大宗, 野々村, 修一

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Type II Siクラスレートの生成を目的としたNaSiにおける作製条件の最適化 von 新井, 紀貴, 馬場, 達也, 上野, 紘幸, 大橋, 史隆, 伴, 隆幸, 久米, 徹二, 羽渕, 仁恵, 飯田, 民夫, 夏原, 大宗, 野々村, 修一, 梁, 芳威, 鈴木, 敬俊, 纐纈, 隆造

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英文編掲載報文・短報等の要旨 von 事務局, Jianchu Mo, Chengyuan Pan, Shimiao Zhang, Chunrun Chen, Huangying He, Jia'an Cheng, 藤田雄大, 古田賢次郎, 白橋浩光, 洪淳星, 塩月孝博, 桑野栄一, 杉浦広幸, 東孝明, 新木康夫, 椙原穂, 沢田治子, 藤本博之, 益子道生, 毛利岳人, 矢野智行, 河内真一郎, 安藤哲, 堀正大, 島田佳, 夏原活也, 大森康弘, 宮田正, 江波戸宗大, 米林甲陽, 田母神繁, 鈴木宗典, 戸嶋浩明, 長谷川守文, 児玉治, 野間正名

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