IoT社会の発展を支える半導体技術の新展開: ２．希土類添加半導体を用いた超狭帯域発光ダイオードとディスプレイ応用 von 市川, 修平, 稲葉, 智宏, 塩見, 圭史, 舘林, 潤, TIMMERMAN, Dolf, 藤原, 康文

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同一サファイア基板上に積層したEu 添加GaN・InGaN 量子井戸フルカラーLEDの発光特性評価 von 市川, 修平, 塩見, 圭史, 森川, 隆哉, 佐々木, 豊, Dolf, Timmerman, 舘林, 潤, 藤原, 康文

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Eu添加GaN・InGaN量子井戸を用いた広色域3色積層型LEDの作製 von 市川, 修平, 塩見, 圭史, 森川, 隆哉, 佐々木, 豊, Dolf, Timmerman, 舘林, 潤, 藤原, 康文

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高反射率・導電性AlInN/GaN DBRを用いたEu添加GaN発光ダイオードの発光強度の増大 von 塩見, 圭史, 稲葉, 智宏, 市川, 修平, 舘林, 潤, 藤原, 康文

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Perspective of Semiconductor Technologies Contributed to the IoT Society: II: Ultra-Narrow-Band Light Emitting Diodes Based on Rare-Earth-Doped Semiconductors Towards Display Appli... von ICHIKAWA, Shuhei, INABA, Tomohiro, SHIOMI, Keishi, TATEBAYASHI, Jun, TIMMERMAN, Dolf, FUJIWARA, Yasufumi

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Eu添加GaN発光ダイオード応用に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの作製 von 塩見, 圭史, 稲葉, 智宏, 市川, 修平, 舘林, 潤, 藤原, 康文

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Si台座構造上GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製 von 南部, 誠明, 永田, 拓実, 塩見, 圭史, 藤原, 康文, 大西, 一生, 谷川, 智之, 上向井, 正裕, 片山, 竜二

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横型擬似位相整合AlN導波路による第二高調波発生の原理実証 von 山内, あさひ, 山口, 修平, 小野寺, 卓也, 林, 侑介, 三宅, 秀人, 彦坂, 年輝, 布上, 真也, 塩見, 圭史, 藤原, 康文, 芹田, 和則, 川山, 巌, 斗内, 政吉, 上向井, 正裕, 片山, 竜二

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波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計 von 山口, 修平, 山内, あさひ, 上向井, 正裕, 林, 侑介, 三宅, 秀人, 塩見, 圭史, 藤原, 康文, 片山, 竜二

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AlN光導波路型波長変換デバイスのための入力グレーティング結合器 von 森岡, 佳紀, 山口, 修平, 正直, 花奈子, 林, 侑介, 三宅, 秀人, 塩見, 圭史, 藤原, 康文, 上向井, 正裕, 片山, 竜二

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Eu添加GaNを発光層にした赤色垂直微小共振器LEDの実現 von 稲葉, 智宏, 塩見, 圭史, 児島, 貴徳, 舘林, 潤, 藤原, 康文

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