日本人関節リウマチ患者におけるボディイメージ・アセスメントツールの信頼性の検討 von 小橋, 靖子, 渡辺, 美紀, 菊地, 真佑花, 片上, 香里, 西田, 圭一郎, 堀田, 昌宏, 尾﨑, 敏文, 那須, 義久, 中原, 龍一, 原田, 遼三

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非接触三次元計測器を用いた新たな可動域計測法の考案 von 兼田, 大輔, 西田, 圭一郎, 竹下, 歩, 大橋, 秀基, 尾﨑, 敏文, 堅山, 佳美, 千田, 益生, 中原, 龍一, 那須, 義久, 堀田, 昌宏

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関節リウマチ患者におけるステロイドの脆弱性骨折に対する影響 von 臼井, 正明, 藤原, 一夫, 堀田, 昌宏

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ホモエピタキシャル成長p型GaN中の窒素原子変位関連欠陥により形成されるホールトラップ von 遠藤, 彗, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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8aAK-10 2次元光電子回折分光法による半導体ヘテロ接合界面の欠陥準位の検出(8aAK 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 前島, 尚行, 松井, 文彦, 堀田, 昌宏, 松井, 公佑, 大田, 拓也, 石井, 良, 藤田, 將喜, 安田, 馨, 松下, 智裕, 大門, 寛

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DLTS法によるn型GaN中の深い準位評価に対してショットキー障壁高さが与える影響の定量的解析 von 青島, 慶人, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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27aJB-6 光電子回折分光法によるAlN/SiC(11-20)界面の原子構造解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 前島, 尚行, 松井, 文彦, 堀田, 昌宏, 松井, 公佑, 大田, 拓也, 石井, 良, 藤田, 將喜, 安田, 馨, 松下, 智裕, 大門, 寛

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リン処理を施したSiC MOSFETにおける実効移動度のボディ電位依存性 von 伊藤, 滉二, 堀田, 昌宏, 須田, 淳, 木本, 恒暢

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MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討 von 堀田, 昌宏, 成田, 哲生, 加地, 徹, 須田, 淳

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p-GaN/AlGaN/GaN HEMTのガンマ線照射による閾値電圧シフトとその測定パルス幅依存性 von 釣本, 浩貴, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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ショットキー接合のC-V測定によるp型GaNの実効アクセプタ密度評価の精度に関する理論的検討 von 六野, 祥平, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値 von 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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AlSiO/p型GaN MOSFETにおける移動度制限因子の解析 von 成田, 哲生, 伊藤, 健治, 冨田, 一義, 堀田, 昌宏, 菊田, 大悟

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GaNにおける電子・正孔の衝突イオン化係数の温度依存性 von 前田, 拓也, 成田, 哲生, 山田, 真嗣, 加地, 徹, 木本, 恒暢, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ von 柴田, 優一, 堀田, 昌宏, 田中, 亮, 高島, 信也, 上野, 勝典, 須田, 淳

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DLTS法によるAl2O3/n型GaN MOS界面準位の評価 von 青島, 慶人, 堀田, 昌宏, 須田, 淳, 橋詰, 保

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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性 von 遠藤, 彗, 鐘ヶ江, 一孝, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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リン処理を施したSiC(0001)/SiO2界面における反転層電子のユニバーサル移動度の評価 von 伊藤, 滉二, 堀田, 昌宏, 須田, 淳, 木本, 恒暢

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赤外線急速加熱によるZnS系無機ELの作製 von 堀口 昌吾, 紺谷 拓哉, 堀田 昌宏

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電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動 von 遠藤, 彗, 堀田, 昌宏, 須田, 淳

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