Pr(EtCp)3 を用いた原子層成長法による Pr 酸化膜の作製とその電気的特性 von 近藤, 博基, 坂下, 満男, 財満, 鎭明

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2007～2019年における牛呼吸器由来菌の薬剤感受性 von 坂下, 満明, 加藤, 晶子, 廣瀬, 和彦

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エピタキシャルHfGe2/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上 von 笠原, 健太郎, 柴山, 茂久, 坂下, 満男, 中塚, 理

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高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性 von 永野, 丞太郎, 柴山, 茂久, 坂下, 満男, 中塚, 理

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金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減 von 土井, 拓馬, 柴山, 茂久, 坂下, 満男, 清水, 三聡, 中塚, 理

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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構 von 柴山, 茂久, 永野, 丞太郎, 安坂, 幸師, 坂下, 満男, 中塚, 理

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界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響 von 土井, 拓馬, 柴山, 茂久, 坂下, 満男, 清水, 三聡, 中塚, 理

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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の特異な強誘電相発現機構 von 柴山, 茂久, 永野, 丞太郎, 坂下, 満男, 中塚, 理

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HfO2-ZrO2系薄膜における反強誘電性の発現過程について von 柴山, 茂久, 坂下, 満男, 中塚, 理, 財満, 鎭明

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界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性 von 土井, 拓馬, 柴山, 茂久, 竹内, 和歌奈, 坂下, 満男, 田岡, 紀之, 清水, 三聡, 中塚, 理

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高濃度SbドープによるGe1−xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大 von 福田, 雅大, 全, 智禧, 坂下, 満男, 柴山, 茂久, 黒澤, 昌志, 中塚, 理

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エピタキシャルHfGe2/Ge接合の形成と結晶構造および電気伝導特性 von 千賀, 一輝, 中塚, 理, 鈴木, 陽洋, 坂下, 満男, 財満, 鎭明

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高Si組成歪緩和Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny二重ヘテロ構造の形成および光電特性評価 von 福田, 雅大, 坂下, 満男, 黒澤, 昌志, 中塚, 理, 財満, 鎭明

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金属/SixGe1−x−ySny/Ge接合の電気伝導特性に対する電極材料の影響 von 鈴木, 陽洋, 中塚, 理, 坂下, 満男, 財満, 鎭明

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機械的な一軸応力印加による 4H-SiC(0001) MOSFET に対する移動度への影響 von 竹内, 和歌奈, 朽木, 克博, 籠島, 瑛二, 大西, 徹, 岩崎, 真也, 坂下, 満男, 藤原, 広和, 中塚, 理

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Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善 von 土井, 拓馬, 竹内, 和歌奈, 坂下, 満男, 柴山, 茂久, 田岡, 紀之, 中塚, 理, 財満, 鎭明

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ドーパント種が水中パルスレーザアニールによるGe1−xSnx薄膜への高濃度ドーピングに及ぼす効果 von 高橋, 恒太, 黒澤, 昌志, 池上, 浩, 坂下, 満男, 中塚, 理, 財満, 鎭明

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Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造の光電特性評価 von 福田, 雅大, Denis, Rainko, 坂下, 満男, 黒澤, 昌志, Dan, Buca, 中塚, 理, 財満, 鎭明

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水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1−xSnx薄膜の熱電特性 von 高橋, 恒太, 池上, 浩, 坂下, 満男, 中塚, 理, 財満, 鎭明, 黒澤, 昌志

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混晶組成および歪制御によるGe1−xSnx/Ge1−x−ySixSnyヘテロ構造のエネルギーバンド構造制御 von 福田, 雅大, 坂下, 満男, 黒澤, 昌志, 中塚, 理, 財満, 鎭明

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