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HCl表面処理とプラズマ励起原子層堆積SiNx膜によるAlGaN/GaN HEMTの表面安定化
von
鈴木, 貴之
,
土屋, 晃祐
,
大保, 崇博
,
赤澤, 良彦
,
下野, 貴史
,
松本, 滉太
,
江口, 卓也
,
岩田, 直高
Veröffentlicht in
応用物理学会学術講演会講演予稿集
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