シリコン細線光導波路における偏波制御 von 福田, 浩, 和田, 一実

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シリコン上ゲルマニウムの選択成長と歪制御によるデバイス応用 von 水野, 泰孝, ルアン, グエン マイ, 石川, 靖彦, 和田, 一実

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シリコンフォトニクスの光インターコネクションへの応用 von 和田, 一実

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GaAs系HBTの信頼性と結晶欠陥の相関 von 伏見, 浩, 和田, 一実

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シリコンフォトニクス: 電子と光の走る集積回路を目指して von 和田, 一実

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「第11回光・電子集積技術業績賞（林厳雄賞）受賞記念講演」光・電子集積とシリコンマイクロフォトニクス von 和田, 一実

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チップ上光源に向けたSi上inverted-rib Ge層の発光特性評価 von 八子, 基樹, Park, Chan-Hyuck, Ahn, Donghwan, 和田, 一実, 石川, 靖彦

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Si基板上inverted-rib構造Ge選択成長層における貫通転位密度低減 von 八子, 基樹, 石川, 靖彦, 和田, 一実

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SiO2上横方向成長を用いた極低貫通転位密度Ge薄膜 von 八子, 基樹, 和田, 一実

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Si基板上低貫通転位密度逆リブ構造Ge von 八子, 基樹, 石川, 靖彦, 和田, 一実

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nタイプGe量子井戸短波長発光素子のためのGe仮想基板に関する研究 von 潘, 撼, 和田, 一実

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シリコンフォトニクスの切り拓く未来 von 和田, 一実

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成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強 von 東垂水, 直樹, 和田, 一実, 石川, 靖彦

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29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状 von 阿部, 孝夫, 和田, 一実

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29pYE-3 CZ シリコン結晶成長における成長速度の限界と界面形状 von 阿部, 孝夫, 和田, 一実

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Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製 von 宮坂, 祐司, 開, 達郎, 岡﨑, 功太, 土澤, 泰, 山本, 剛, 和田, 一実, 石川, 靖彦

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量子構造太陽電池の多接合化における電圧整合と波長選択層の提案 von 新藤, 弘章, 鄭, 辰, 河合, 直行, 和田, 一実

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マイクロリング共振器の作製誤差の無損傷検出方法 von 滝田, 真也, 石川, 靖彦, 和田, 一実

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CVDでのGe選択成長における(311)面上成長速度の温度依存性 von 水野, 泰孝, 河合, 直行, 和田, 一実

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Si基板上に直接成長させたGeのTOF-SIMS測定(II) von 河野, 健一郎, 朴, 成鳳, 石川, 靖彦, 和田, 一実

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