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    Transient simulation and analysis of current collapse due to trapping effects in AIGaN/GaN high-electron-mobility transistor

    Transient simulation and analysis of current collapse due to trapping effects in AIGaN/GaN high-electron-mobility transistor von 周幸叶 冯志红 王元刚 顾国栋 宋旭波 蔡树军

    Veröffentlicht in 中国物理B：英文版

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    Veröffentlicht in Journal of semiconductors

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