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    High-quality homoepitaxial layers grown on 4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD

    High-quality homoepitaxial layers grown on 4H-SiC at a high growth rate by vertical LPCVD von 吴海雷 孙国胜 杨挺 闫果果 王雷 赵万顺 刘兴昉 曾一平 温家良

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    Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC

    Effect of annealing process on the surface roughness in multiple Al implanted 4H-SiC von 吴海雷 孙国胜 杨挺 闫果果 王雷 赵万顺 刘兴昉 曾一平 温家良

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