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    Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor

    Influence of the AlGaN barrier thickness on polarization Coulomb field scattering in an AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor von 吕元杰 冯志红 顾国栋 尹甲运 房玉龙 王元刚 谭鑫 周幸叶 林兆军 冀子武 蔡树军

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