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格拉斯霍夫数物理意义的一种解释方法 von 王为国 曾真 覃远航 段晓玲 吕仁亮

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Fabrication and characterization of the normally,off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors von 宋庆文 汤晓燕 何艳静 唐冠男 王悦湖 张艺蒙 郭辉 贾仁需 吕红亮 张义门 张玉明

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Investigation of a 4H-SiC metal-insulationsemiconductor structure with an A1203/SiO2 stacked dielectric von 汤晓燕 宋庆文 张玉明 张义门 贾仁需 吕红亮 王悦湖

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