SiO₂/GaN MOS構造における電極形成後アニール前後の界面及び膜中電荷の評価 von 古川 暢昭, 上沼 睦典, 石河 泰明, 浦岡 行治

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SiO2 /GaN MOS C-V 特性のストレス耐性に対する熱処理雰囲気の影響 von 平野, 太基, 上沼, 睦典, 古川, 暢昭, 浦岡, 行治, 足立, 秀明

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Al2O3/p-GaN MOS構造に対する熱処理の効果 von 古川, 暢昭, 上沼, 睦典, Simon, Kotzea, 石河, 泰明, Andrei, Vescan, 浦岡, 行治

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SiO2/GaN界面の固定電荷に対するGaN表面状態の影響 von 上沼, 睦典, 安藤, 領汰, 古川, 暢昭, 石河, 泰明, 浦岡, 行治

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高圧水蒸気処理を用いたGaOX層形成によるSiO2/GaN界面の特性評価 von 安藤, 領汰, 上沼, 睦典, 古川, 暢昭, Tengda, Lin, 石河, 泰明, 浦岡, 行治

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SiO2/n-GaN界面に対する高圧水蒸気処理条件の効果 von 古川, 暢昭, 上沼, 睦典, 藤本, 裕太, 石河, 泰明, 安田, 昌弘, 浦岡, 行治

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Effect of High Pressure Water Vapor Annealing Condition for SiO2/n-GaN Interface von Furukawa, Masaaki, Mutsunori, Uenuma, Yuta, Fujimoto, Yasuaki, Ishikawa, Masahiro, Yasuda, Yukiharu, Uraoka

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