22aAJ-7 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのPdインターカレーション von 柳生, 数馬, 高橋, 和敏, 栃原, 浩, 友景, 肇, 鈴木, 孝将

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SiC(0001)基板に成長させたゼロ層グラフェンへの銅インターカレーション von 柳生, 数馬, 田尻, 恭之, 香野, 淳, 高橋, 和敏, 栃原, 浩, 友景, 肇, 鈴木, 孝将

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28aAQ-2 SiC上エピタキシャルグラフェンに対する銅のインターカレーション(28aAQ グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面・結晶成長)) von 柳生, 数馬, 田尻, 恭之, 香野, 淳, 高橋, 和敏, 栃原, 浩, 友景, 肇, 鈴木, 孝将

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26pPSB-30 SiC(0001)表面における銅蒸着グラフェン膜の研究(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 柳生, 数馬, 友景, 肇, 鈴木, 孝将

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19aEC-3 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着(19aEC 領域7,領域9合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体)) von 柳生, 数馬, 友景, 肇, 鈴木, 孝将

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IEC国際標準規格になった 福岡発の部品内蔵基板の研究成果 von 友景, 肇

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26pPSA-28 SiC(0001)表面上に成長したグラフェン膜へのCu蒸着2(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 柳生, 数馬, 友景, 肇, 鈴木, 孝将, 田尻, 恭之, 香野, 淳

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26pPSB-29 Si(001)表面上のペンタセン薄膜の初期成長(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) von 能方, 駿介, 友景, 肇, 柳生, 数馬, 鈴木, 孝将

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エッチング工程を必要としない環境配慮型プリント配線基板製造工法の開発（2） von 加藤, 義尚, 北田, 真也, 本田, 耕児, 鈴木, 治行, 加東, 隆, 山口, 範博, 寺田, 恒彦, 太田, 茂男, 酒井, 善夫, 友景, 肇

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小型半導体パッケージの微小剥離による熱抵抗変化 von 崔, 雲, 江村, 直之, 友景, 肇

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曲げ試験法を用いた基板内埋め込み素子の信頼性試験 von 宗, 真太郎, 韓, 榮建, 堀内, 整, 崔, 雲, 加藤, 義尚, 友景, 肇

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デバイス内部の応力集中と真性キャリア濃度変化を考慮したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション von 多田, 直弘, 池田, 徹, 宮崎, 則幸, 小金丸, 正明, 友景, 肇

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TDR法によるTSV接続不良の評価 von 大塚, 裕明, 韓, 榮建, 崔, 雲, 堀内, 整, 友景, 肇

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nMOSFETにおける1軸応力の影響評価 von 小金丸, 正明, 多田, 直弘, 池田, 徹, 宮崎, 則幸, 友景, 肇

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24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程 von 吉田, 正幸, 師岡, 正美, 高橋, 学, 友景, 肇

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バンドパスフィルターを内蔵した高周波プローブ System with Probe (SwP) von 松本, 圭司, 斉藤, 亮太, 崔, 雲, 友景, 肇

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せん断応力効果を考慮したnMOSFETの電気特性変動評価デバイスシミュレーション von 吉田, 圭佑, 小金丸, 正明, 池田, 徹, 宮崎, 則幸, 友景, 肇

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半導体ナノデバイス内部の応力分布を考慮したデバイスシミュレーション von 吉田, 圭佑, 池田, 徹, 宮崎, 則幸, 小金丸, 正明, 友景, 肇

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7a-S-6 不純物-点欠陥連立拡散方程式の数値解における境界条件 von 吉田, 正幸, 高橋, 学, 友景, 肇

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29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析 von 吉田, 正幸, 植松, 真司, 師岡, 正美, 高橋, 学, 友景, 肇

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