18pAG-3 InGaAs 2次元電子ガスに誘起されたアンドレーエフ束縛準位のトンネル分光測定 von 入江, 宏, 熊田, 倫雄, 原田, 裕一, 杉山, 弘樹, 赤崎, 達志, 村木, 康二

Volltext

27aXQ-3 InAs/GaSbトポロジカル絶縁領域の伝導特性II : バックゲートの効果(27aXQ 量子ホール効果(整数量子ホール効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 鈴木, 恭一, 小野満, 恒二, 原田, 裕一, 村木, 康二

Volltext

25pDD-7 歪ませて張り付けた単一InPナノワイヤの発光特性(量子井戸・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在)) von 山口, 真澄, 小野, 真証, 章国, 強, 後藤, 秀樹, 原田, 裕一, 山口, 浩司

Volltext

26aHG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の両面ゲート制御 : トポロジカル絶縁領域の実現に向けて(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))... von 鈴木, 恭一, 小野満, 恒二, 原田, 裕一, 村木, 康二

Volltext

原子層成長法を用いたアルミニウム薄膜の特異な特性 von 原田, 裕一, 鈴木, 元, 山口, 浩司

Volltext

リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN 非対称Open-Gate HFETの高温特性 von 前田, 就彦, 廣木, 正伸, 佐々木, 智, 原田, 裕一

Volltext

微小ホール外周の凸構造による脂質二分子膜支持 von 後藤, 東一郎, 住友, 弘二, 原田, 裕一

Volltext

リセスゲート促進障壁層AlGaN/GaN Open-Gate HFETの高温特性 von 前田, 就彦, 廣木, 正伸, 佐々木, 智, 原田, 裕一

Volltext

超伝導共振器のゆっくりとした雑音 von 原田, 裕一, 関根, 佳明

Volltext

ナノワイヤ-ナノアンテナ結合系における2重共鳴による発光増強 von 小野, 真証, 倉持, 栄一, 角倉, 久史, 原田, 裕一, 納富, 雅也

Volltext

ALD 酸化膜のグラファイト上への二段階成長 von 原田, 裕一, 関根, 佳明, 赤崎, 達志

Volltext

原子層成長法を用いた超伝導アルミニウム薄膜の作製 von 鈴木, 元, 原田, 裕一, 赤崎, 達志, 高柳, 英明

Volltext

超伝導量子ポイントコンタクトにおける最大ジョセフソン電流の量子化 von 入江, 宏, 原田, 裕一, 杉山, 弘樹, 赤崎, 達志

Volltext

Gate-All-Around InAsナノワイヤFETのON/OFF比改善 von 佐々木, 智, 舘野, 功太, 章, 国強, 原田, 裕一, 齊藤, 志郎, 藤原, 聡, 寒川, 哲臣, 村木, 康二

Volltext

ソース領域オーバーラップゲートAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 von 前田, 就彦, 廣木, 正伸, 佐々木, 智, 原田, 裕一

Volltext

原子層堆積法を用いて作製したラップゲート型InGaAs量子ポイントコンタクト von 入江, 宏, 原田, 裕一, 杉山, 弘樹, 赤崎, 達志

Volltext

Al2O3ゲート絶縁膜を用いたSiC上単層グラフェン素子の電気特性 von 田邉, 真一, 原田, 裕一, 高村, 真琴, 影島, 博之, 日比野, 浩樹

Volltext

ALD薄膜を用いたニオブ表面インピーダンスの改善 von 原田, 裕一, 関根, 佳明, 赤崎, 達志

Volltext

Al2O3を用いたin-plane gateデバイスの特性 von 佐波, 謙一, 小松崎, 優治, 小野満, 恒二, 原田, 裕一, 堀越, 佳治

Volltext

発光スペクトルによるhigh-kゲート絶縁膜付きGaAs/AlGaAs量子井戸のゲート制御性評価 von 森川, 祐, 野村, 晋太郎, 山口, 真澄, 小野満, 恒二, 原田, 裕一, 赤崎, 達志

Volltext