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    Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te_5-Based Phase Change Memory Devices

    Current Controlled Relaxation Oscillations in Ge2Sb2Te_5-Based Phase Change Memory Devices von 卢瑶瑶 蔡道林 陈一峰 王月青 魏宏阳 霍如如 宋志棠

    Veröffentlicht in 中国物理快报：英文版

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