希土類添加半導体AlGdNのバンドギャップ制御によるエネルギー移動のチューニング von 石津, 勇太, 辻, 和真, 喜多, 隆, 千木, 慶隆, 西本, 哲朗, 田中, 寛之, 小林, 幹弘, 石原, 嗣生, 泉, 宏和

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ナローバンド深紫外蛍光体AlGdNエピタキシャル薄膜の成長温度依存性 von 來山, 真也, 岩橋, 進哉, 中村, 順也, 喜多, 隆, 千木, 慶隆, 西本, 哲朗, 田中, 寛之, 小林, 幹弘, 石原, 嗣生, 泉, 宏和

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ナローバンド深紫外蛍光体AlGdN結晶薄膜の電子線励起発光特性 von 岩橋, 進哉, 岸, 直央, 來山, 真也, 喜多, 隆, 千木, 慶隆, 西本, 哲朗, 田中, 寛之, 小林, 幹弘, 石原, 嗣生, 曲尾, 章, 泉, 宏和, 野口, 徹

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AlNバッファー層導入による深紫外蛍光体AlGdNの発光強度向上 von 來山, 真也, 吉富, 大明, 岩橋, 進哉, 中村, 順也, 喜多, 隆, 千木, 慶隆, 西本, 哲朗, 田中, 寛之, 小林, 幹弘, 石原, 嗣生, 泉, 宏和

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